Farklı kavite konfigürasyonlarına sahip pasif mod kilitli diyot lazerlerin karşılaştırmalı teorik incelenmesi

Online Makale

Online Hizmetlere Toplu Bakış Online Kayıt ve Konaklama Online Bilimsel Program Dernekler İçin... Referanslarımız Telefon ve e-posta Desteği Bildiri özeti nedir? Bildiri özeti nasıl hazırlanır? Bildiri özeti örnekleri Kabul mektubu örnekleri

Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

Farklı kavite konfigürasyonlarına sahip pasif mod kilitli diyot lazerlerin karşılaştırmalı teorik incelenmesi [Pamukkale Univ Muh Bilim Derg]

Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. Baskıdaki Makaleler: PAJES-78084 | DOI: 10.5505/pajes.2024.78084

Farklı kavite konfigürasyonlarına sahip pasif mod kilitli diyot lazerlerin karşılaştırmalı teorik incelenmesi

Rukiye Aksakal¹, Bülent ÇAKMAK²
¹Atatürk Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği, Erzurum
²Erzurum Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği, Erzurum

Bu çalışmada, iki kazanç bölümü ve bir soğurucu bölümü olan 1550 nm AlGaInAs/InP pasif mod kilitli yarı iletken lazerlerin modelleme sonuçları, kazanç ve soğurma bölümlerinin farklı uzunluk ve konumlarına göre ilerleyen dalga denklemleri kullanılarak raporlanmaktadır. Üç bölümlü yarı iletken lazerlerin çıkış gücü, taşıyıcı sayısı ve darbe genişliğinin karşılaştırmalı sonuçları, farklı kavite uzunlukları kullanılarak elde edildi. Birinci kazanç bölümü daha uzun olan üç bölümlü lazerlerin, 920 mW'lık daha yüksek çıkış gücüne ve yaklaşık 1,57 ps'lik daha kısa darbe sürelerine sahip olduğu
bulunmuştur. Akım ve gerilim sabit tutulduğunda kavite uzunluğu kısaldıkça daha yüksek çıkış gücü ve elektrik alan elde edilir.

Anahtar Kelimeler: Çok bölmeli lazer diyot, Modelleme, Pasif kip kilitleme

Comparative theoretical investigation of passively mode-locked diode lasers with different cavity configurations

Rukiye Aksakal¹, Bülent ÇAKMAK²
¹Atatürk University Engineering Faculty, Electrical Electronic Engineering, Erzurum
²Erzurum Technical University Engineering Faculty, Electrical Electronic Engineering, Erzurum

In this study, modelling results of 1550 nm AlGaInAs/InP passively mode-locked semiconductor lasers with two gain
sections and one absorber section are reported using propagation wave equations according to different lengths and positions of the gain and absorption sections. Comparative results of output power, carrier number and pulse width of three section semiconductor lasers are obtained using different cavity lengths. It has been found that three-section lasers with a longer first gain section have higher output power of 920 mW and shorter pulse durations of approximately 1.57 ps. When the current and voltage are kept constant, higher output power and higher electric field are obtained as the cavity length gets shorter.

Keywords: Multisection laser diode, Modeling, Passively mode locking

Sorumlu Yazar: Rukiye Aksakal, Türkiye

ARAÇLAR